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    LL4448-GS08
    8611
    LL4448-GS08
    VISHAY
    *
    1935
    2500/R
    12052200
    8610
    12052200
    DELPHI
    *
    1935
    800/X=10.68KG V=57*3
    42219-1
    8609
    42219-1
    TE
    *
    1936
    10K/R
    67643-0910
    8608
    67643-0910
    MOLEX
    *
    1936
    250/H 1K/X=4.44KG V=
    SN74LVC2G14DCKR
    8607
    SN74LVC2G14DCKR
    TI
    6-TSSOP
    1938
    3K/R
    MBRD10100CT-13
    8606
    MBRD10100CT-13
    DIODES INCORPORATED
    *
    1939
    2500/R
    DF13C-2P-1.25V(21)
    8605
    DF13C-2P-1.25V(21)
    HIROSE
    *
    1939
    1K/R
    LM2904VDR2G
    8604
    LM2904VDR2G
    ON SEMICONDUCTOR
    SOIC-8
    1939
    2500/R
    DF11-22DS-2C
    8603
    DF11-22DS-2C
    HIROSE
    *
    1939
    100/D
    BAS21HT1G
    8602
    BAS21HT1G
    ON SEMICONDUCTOR
    *
    1940
    3K/R
    1744544-6
    8601
    1744544-6
    TE
    *
    1940
    2400/X=0.86KG V=35*1
    SWPA3012S1R0NT
    8600
    SWPA3012S1R0NT
    SUNLORD
    *
    1940
    2K/R
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